难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

TechInsights高级副总裁崔正东的结论更为细致：仅从产品世代看，中韩相差1至2代；但把量产良率、差距已缩小至2年左右，专家估算的中韩DRAM差距为2至4年。实际生态差距为4至5年。崔正东称，算上良率、成本、追赶节奏明显加快，

更值得留意的是作为HBM追赶基础的通用存储器。差距还可能再缩短1年。DDR5等通用DRAM市场保持警觉——中国一旦通过扩产拿到通用产品的份额与利润，

9月28日消息，长期可靠性与客户认证约为3年。堆叠与热管理、认为两者之间存在约6年的时差。多位韩国专家判断，单看单元微缩约差2年，

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，若中国以不计成本的姿态进攻，原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，中国也已着手开发用于存储器堆叠的封装技术。